Memorysolution DDR3L
ThinkPad Yoga, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Modèle
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Informations sur le produit
La mémoire DDR3L RAM de Memorysolution est un module de stockage puissant, spécialement conçu pour une utilisation dans les modèles Lenovo ThinkPad Yoga 15. Avec une capacité de 4 Go et une vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800), ce module SO DIMM à 204 broches offre des performances fiables et efficaces pour diverses applications. Il est conçu avec une faible tension de 1,35 V, ce qui le rend particulièrement économe en énergie. Le module est non tamponné et prend en charge la vérification de l'intégrité des données Non-ECC, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les ordinateurs portables. La compatibilité avec des modèles spécifiques de Lenovo garantit une intégration facile et des performances optimales. Avec une garantie de 10 ans, ce produit offre une sécurité et une confiance supplémentaires dans sa qualité.
- Faible tension de 1,35 V pour un fonctionnement économe en énergie
- Design non tamponné pour des performances améliorées dans les ordinateurs portables
- Compatible avec les modèles Lenovo ThinkPad Yoga 15
- Vérification de l'intégrité des données grâce à la technologie Non-ECC
- Garantie à long terme de 10 ans pour une sécurité supplémentaire.
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | ThinkPad Yoga |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14241116 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096LEN-NB014 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Liens externes |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | ThinkPad Yoga |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |