Memorysolution DDR3L
Lenovo ThinkPad P50s (20FK), Lenovo ThinkPad P50s (20FL), 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Modèle29
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Informations sur le produit
L'article MS4096LEN-NB037 est une extension de mémoire pour le Lenovo ThinkPad P50s, qui est livré d'origine avec 4 Go de RAM. Le système Lenovo ThinkPad P50s peut être mis à niveau jusqu'à 32 Go de RAM. Pour une mise à niveau maximale de la mémoire, l'appareil dispose de 2 emplacements.
Il arrive que les informations fournies par les fabricants concernant la capacité maximale de mémoire soient obsolètes et puissent différer de nos indications. Pourquoi ? Parce que la technologie progresse rapidement ou que les révisions des fabricants de mémoire changent si vite qu'elles peinent à suivre le rythme de la certification, voire que les anciens modèles ne sont plus validés.
C'est là que Memorysolution intervient avec des tests approfondis et vous garantit une disponibilité continue de la mise à niveau, bien au-delà du cycle de production des fabricants. Notre module de mémoire qualifié pour le Lenovo ThinkPad P50s fonctionne également sous pleine charge et respecte parfaitement les spécifications du fabricant.
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Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkPad P50s (20FK), Lenovo ThinkPad P50s (20FL) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14215710 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096LEN-NB037 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Liens externes |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkPad P50s (20FK), Lenovo ThinkPad P50s (20FL) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |