Memorysolution DDR3L
G771JM, G771JW, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Modèle29
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Informations sur le produit
Le module de RAM Memorysolution DDR3L offre une extension de mémoire fiable et performante pour les ordinateurs portables compatibles, en particulier pour les modèles ASUS G771JM et G771JW. Avec une capacité de 4 Go et une vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800), ce module SO DIMM 204-PIN est idéal pour les applications nécessitant un traitement efficace des données. Le module fonctionne à une faible tension de 1,35 V, ce qui en fait un choix économe en énergie pour les systèmes modernes. Il s'agit d'un module non tamponné et non ECC, garantissant une installation facile et une compatibilité avec une variété de systèmes. L'utilisation de la technologie DDR3L SDRAM assure une performance et une stabilité améliorées, ce qui en fait un excellent choix pour les utilisateurs souhaitant augmenter les performances de leur ordinateur portable.
- Faible tension de 1,35 V pour un fonctionnement économe en énergie
- Design non tamponné pour une installation facile
- Compatible avec les modèles ASUS G771JM et G771JW
- Technologie DDR3L SDRAM pour des performances améliorées.
Marque compatible | ASUS |
Modèle compatible | G771JM, G771JW |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14241117 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096ASU-NB078 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Liens externes |
Marque compatible | ASUS |
Modèle compatible | G771JM, G771JW |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |