Memorysolution DDR3L
N750JV, 1 x 4GBModèle32
Informations sur le produit
La mémoire DDR3L RAM de Memorysolution est un module de mémoire puissant, spécialement conçu pour une utilisation dans les ordinateurs portables, en particulier dans la série ASUS N750JV. Avec une capacité de 4 Go et une vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800), ce module SO DIMM 204 broches offre des performances fiables et efficaces pour diverses applications. Le type DDR3L permet une tension inférieure de 1,35 V, ce qui réduit la consommation d'énergie sans compromettre les performances. Son design non tamponné et sa vérification d'intégrité des données Non-ECC en font un choix idéal pour les utilisateurs à la recherche d'une extension de mémoire à la fois économique et performante. Ce module est une excellente option pour tous ceux qui souhaitent améliorer les performances de leur système sans compromettre la stabilité.
- Technologie basse tension avec 1,35 V pour un fonctionnement économe en énergie
- Design non tamponné pour des performances améliorées dans les ordinateurs portables
- Compatible avec la série ASUS N750JV pour des exigences système spécifiques
- Vérification d'intégrité des données Non-ECC pour un traitement des données fiable.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Modèle compatible | N750JV |
Marque compatible | ASUS |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14252389 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS4096ASU-NB056 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Marque compatible | ASUS |
Modèle compatible | N750JV |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |