PHS-memory RAM compatible Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR
Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR, 1 x 32GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Configuration de la mémoire
Informations sur le produit
La RAM de PHS-memory est spécialement conçue pour le Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR et offre une capacité de stockage de 32 Go. Cette mémoire vive est équipée d'une fréquence d'horloge de 3200 MHz, garantissant des performances élevées et une efficacité pour les applications de serveur et de station de travail. La RAM DDR4 U-DIMM non tamponnée est idéale pour les tâches exigeantes et assure un traitement des données fiable. Avec une tension de 1,2 Volt, cette RAM optimise la consommation d'énergie tout en fournissant la puissance nécessaire pour des applications gourmandes en ressources. Fabriquée en Corée du Sud, cette mémoire vive respecte les normes élevées de l'industrie et constitue un excellent choix pour les utilisateurs à la recherche d'une solution de stockage performante et compatible.
- Compatible avec le Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR
- Fréquence d'horloge de 3200 MHz pour des performances élevées
- RAM DDR4 U-DIMM non tamponnée pour une efficacité améliorée
- Consommation d'énergie de seulement 1,2 Volt pour des performances optimisées.
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 3200 MHz |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Numéro d'article | 22400500 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP396200 |
Date de sortie | 16/9/2022 |
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro SuperServer SYS-510T-WTR |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 3200 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 32 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 288 x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Corée du Sud |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |