PHS-memory RAM compatible avec Supermicro H11DSI-NT-O-R2.0 ATX
Supermicro H11DSI-NT-O-R2.0 ATX, 1 x 32GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Configuration de la mémoire
Informations sur le produit
Cette mémoire vive de 32 Go est 100 % compatible avec la carte mère Supermicro H11DSI-NT-O-R2.0 ATX.
Informations sur la configuration de la mémoire : Les spécifications techniques suivantes doivent être prises en compte à l'avance : L'appareil peut accueillir des modules de mémoire RAM RDIMM et RDIMM 3DS (Registered DIMM) ou LRDIMM et LRDIMM 3DS (Load Reduced DIMM). Les mémoires LRDIMM sont recommandées si de grandes capacités de mémoire doivent être atteintes. Les modules de mémoire RDIMM et RDIMM 3DS ne peuvent pas être mélangés avec des mémoires LRDIMM et LRDIMM 3DS. Si une extension de mémoire doit être effectuée avec les RAM existantes, il est nécessaire de vérifier quelle technologie de mémoire de base (RDIMM / LRDIMM) est présente. Lors de l'utilisation d'un système multiprocesseur, les emplacements de mémoire doivent toujours être identiquement configurés pour chaque CPU. Une fréquence de mémoire plus élevée du module s'adapte automatiquement à la fréquence de mémoire définie par le système. Cela peut être particulièrement vrai pour des capacités plus importantes.
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro H11DSI-NT-O-R2.0 ATX |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR5 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Numéro d'article | 22397408 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP376237 |
Date de sortie | 16/9/2022 |
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro H11DSI-NT-O-R2.0 ATX |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR5 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 32 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | DIMM |
Nombre de broches | 288 x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |