PHS-memory RAM compatible avec Sony VAIO SVE1713G1EW
Sony VAIO SVE1713G1EW, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Configuration de la mémoire2
Informations sur le produit
La RAM de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO SVE1713G1EW et offre une capacité de stockage de 8 Go. Cette RAM DDR3 est une solution idéale pour améliorer les performances du système et soutenir des applications exigeantes. Avec une fréquence de mémoire de 1333 MHz, cette mémoire vive permet un traitement efficace des données et un multitâche fluide. Le facteur de forme SO-DIMM facilite une installation simple dans les ordinateurs portables compatibles. L'utilisation de puces LPDDR3 garantit une haute efficacité énergétique, ce qui est particulièrement avantageux pour les appareils mobiles. Avec une tension de fonctionnement de 1,35 Volt, cette RAM contribue à réduire la consommation d'énergie sans compromettre les performances. Ces caractéristiques font de la RAM PHS-memory un excellent choix pour les utilisateurs souhaitant optimiser les performances de leur Sony VAIO SVE1713G1EW.
- 100% compatible avec Sony VAIO SVE1713G1EW
- Capacité de stockage de 8 Go pour des performances améliorées
- Fréquence de mémoire de 1333 MHz pour un traitement efficace des données
- Puce LPDDR3 économe en énergie avec une tension de fonctionnement de 1,35 Volt.
Marque compatible | Sony |
RAM pour modèle | Sony VAIO SVE1713G1EW |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Numéro d'article | 22395927 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP434527 |
Date de sortie | 16/9/2022 |
Marque compatible | Sony |
RAM pour modèle | Sony VAIO SVE1713G1EW |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204x |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | 81.33 kg |
Contribution climatique | CHF 1.93 |