PHS-memory RAM compatible avec Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) (processeur Xeon)

Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) (Processeur Xeon), 1 x 16GB
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Configuration de la mémoire3

Informations sur le produit

La RAM de 16 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) avec processeur Xeon. Cette mémoire offre une grande compatibilité et est idéale pour les utilisateurs souhaitant optimiser les performances de leur station de travail. Avec une fréquence de mémoire de 3200 MHz, cette RAM DDR4 permet un traitement rapide des données et un multitâche efficace. Le facteur de forme U-DIMM non tamponné facilite l'installation et l'intégration dans les systèmes existants. Les 288 broches et la tension de fonctionnement de 1,2 Volt garantissent des performances fiables et une stabilité dans diverses conditions de travail. Cette RAM est un excellent choix pour les applications professionnelles qui exigent une grande capacité et vitesse de mémoire.

  • Compatible avec Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) (processeur Xeon)
  • Fréquence de mémoire de 3200 MHz pour des performances améliorées
  • Facteur de forme U-DIMM non tamponné pour une installation facile
  • Tension de fonctionnement de 1,2 Volt pour une efficacité énergétique.

Spécifications principales

Mémoire tampon RAM
ECC Enregistré
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Modèle compatible
Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) (Processeur Xeon)
Marque compatible
Lenovo
Configuration de la mémoire
1 x 16GB
Fréquence de l'horloge de stockage
3200 MHz
Numéro d'article
22373758

Informations générales

Fabricant
PHS-memory
Catégorie
RAM spécifique au système
Réf. du fabricant
SP392222
Date de sortie
16/9/2022

Mémoire vive

Marque compatible
Lenovo
Modèle compatible
Lenovo ThinkStation P350 Tower (30E3) (Processeur Xeon)
Configuration de la mémoire
1 x 16GB
Domaine d'utilisation du matériel
Serveur / Station de travail
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Fréquence de l'horloge de stockage
3200 MHz
Capacité de mémoire (RAM) par module
16 Go
Puce mémoire vive
DDR4
Facteur de forme mémoire vive
U-DIMM
Nombre de broches
288x
Mémoire tampon RAM
ECC Enregistré

Alimentation

Tension électrique
1.20 V

Provenance

Pays d'origine
Chine

Contribution climatique volontaire

CO₂-Emission
Contribution climatique

Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)
1 offre supplémentaire

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