Cette mémoire vive de 4 Go est 100 % compatible avec le Dell PowerEdge R715.
Informations sur la configuration de la mémoire : Les spécifications techniques suivantes doivent être prises en compte au préalable : L'appareil peut accueillir des modules de mémoire ECC DIMM (avec code de correction d'erreurs) ou RDIMM (DIMM enregistrés). Les mémoires RDIMM sont recommandées si de grandes capacités de mémoire doivent être atteintes. Les différentes technologies de mémoire (ECC / RDIMM) ne doivent pas être mélangées. Si une extension de mémoire doit être effectuée avec les modules de RAM déjà présents, il faut vérifier quelle technologie de mémoire (ECC / RDIMM) est installée. Les emplacements de mémoire sans processeur ne doivent pas être occupés. Lors de l'utilisation d'un système multiprocesseur, les emplacements de mémoire doivent toujours être configurés de manière identique pour chaque CPU. Une fréquence de mémoire plus élevée du module de mémoire s'adapte automatiquement à la fréquence de mémoire définie par le système. Cela peut être particulièrement vrai pour des capacités plus importantes.
Configuration de la mémoire pour la performance système : Pour atteindre une performance optimale, utilisez 4 ou 8 mémoires identiques par CPU. Les mémoires doivent être configurées de manière identique par CPU (miroir de l'autre CPU).
Vitesse de RAM prise en charge des CPU AMD :
Marque compatible  | Vallon  | 
Configuration de la mémoire  | 1 x 4GB | 
Type de mémoire vive  | DDR3U-RAM | 
Fréquence de l'horloge de stockage  | 1333 MHz | 
Mémoire tampon RAM  | non tamponné  | 
Numéro d'article  | 25184179 | 
Fabricant  | PHS-memory | 
Catégorie  | RAM spécifique au système | 
Réf. du fabricant  | SP471441 | 
Date de sortie  | 15/4/2023 | 
Marque compatible  | Vallon  | 
Configuration de la mémoire  | 1 x 4GB | 
Domaine d'utilisation du matériel  | Serveur / Station de travail  | 
Type de mémoire vive  | DDR3U-RAM | 
Fréquence de l'horloge de stockage  | 1333 MHz | 
Capacité de mémoire (RAM) par module  | 4 Go | 
Puce mémoire vive  | LPDDR3  | 
Facteur de forme mémoire vive  | U-DIMM | 
Nombre de broches  | 240 x | 
Mémoire tampon RAM  | non tamponné  | 
Tension électrique  | 1.50 V | 
Pays d'origine  | Chine  | 
CO₂-Emission  | |
Contribution climatique  |