L'article MS8192HP-NB110A est une extension de mémoire pour les ordinateurs portables HP/Compaq oBook 430 G3, 440 G3, 450 G3, 470 G3 (DDR4), qui sont initialement équipés de 4 Go de RAM. Le système HP/Compaq oBook 430 G3, 440 G3, 450 G3, 470 G3 (DDR4) peut être mis à niveau jusqu'à 32 Go de RAM. Pour cette mise à niveau maximale, l'appareil dispose de 2 emplacements.
Il arrive que les informations des fabricants concernant la capacité maximale de mémoire soient obsolètes et puissent différer de nos indications. Pourquoi ? Parce que la technologie progresse rapidement ou que les révisions des fabricants de mémoire changent si vite qu'elles peinent à suivre la certification, et que les modèles plus anciens ne sont même plus validés à nouveau.
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Plus rapide, meilleur grâce à l'extension de mémoire, améliorez votre système : plus de puissance avec plus de RAM (mémoire vive) ! L'article MS8192HP-NB110A pour HP/Compaq oBook 430 G3, 440 G3, 450 G3, 470 G3 (DDR4) est idéalement équipé pour une mise à niveau maximale de 32 Go de RAM.
| Marque compatible | HP | 
| Modèle compatible | ProBook 430 G3, ProBook 440 G3 G3, ProBook 450 G3, ProBook 470 G3 | 
| Configuration de la mémoire | 1 x 8GB | 
| Type de mémoire vive | RAM DDR4 | 
| Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz | 
| Mémoire tampon RAM | non tamponné | 
| Numéro d'article | 14215700 | 
| Fabricant | Memorysolution | 
| Catégorie | RAM spécifique au système | 
| Réf. du fabricant | MS8192HP-NB110A | 
| Date de sortie | 13/11/2020 | 
| Liens externes | 
| Marque compatible | HP | 
| Modèle compatible | ProBook 430 G3, ProBook 440 G3 G3, ProBook 450 G3, ProBook 470 G3 | 
| Configuration de la mémoire | 1 x 8GB | 
| Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable | 
| Type de mémoire vive | RAM DDR4 | 
| Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz | 
| Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x | 
| Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go | 
| Puce mémoire vive | DDR4-2133 | 
| Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM | 
| Nombre de broches | 260 x | 
| Mémoire tampon RAM | non tamponné | 
| Tension électrique | 1.20 V | 
| Pays d'origine | Chine | 
| CO₂-Emission | |
| Contribution climatique |