PHS-memory RAM compatible Lenovo ThinkStation P330 Tower Gen 2 (30CY)
Lenovo ThinkStation P330 Tour Gen 2 (30CY), 1 x 32GBInformations sur le produit
La RAM de 32 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la Lenovo ThinkStation P330 Tower Gen 2 (30CY) et offre des performances optimales pour les applications exigeantes. Avec une fréquence de mémoire de 2666 MHz et la technologie DDR4, cette mémoire vive garantit un traitement rapide des données et des temps de réponse système améliorés. Le facteur de forme U-DIMM non tamponné permet une installation facile et une compatibilité avec le matériel approprié. Cette extension de RAM est idéale pour les utilisateurs qui souhaitent optimiser leur station de travail pour des tâches graphiques intensives, des analyses de données ou le multitâche. La capacité de 32 Go par module permet d'exécuter plusieurs applications simultanément sans compromettre les performances du système. La faible tension de 1,2 Volt contribue à l'efficacité énergétique et réduit la consommation d'énergie, ce qui est particulièrement avantageux dans les environnements professionnels.
- Fréquence de mémoire de 2666 MHz pour un traitement rapide des données
- Technologie RAM DDR4 pour des performances améliorées
- Facteur de forme U-DIMM non tamponné pour une installation facile
- Capacité de 32 Go par module pour un multitâche efficace.
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation P330 Tour Gen 2 (30CY) |
Marque compatible | Lenovo |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Numéro d'article | 22373742 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP373683 |
Date de sortie | 16/9/2022 |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation P330 Tour Gen 2 (30CY) |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 32 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 288x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |