PHS-memory RAM compatible avec Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035)
Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035), 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La RAM de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) et offre une capacité de stockage de 8 Go. Cette RAM DDR3 est une solution idéale pour améliorer les performances du système et garantir une exécution fluide des applications et du multitâche. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et une tension de 1,35 Volt, cette mémoire vive est à la fois économe en énergie et performante. Le format SO-DIMM permet une installation facile dans les ordinateurs portables compatibles, offrant aux utilisateurs la possibilité d'optimiser les performances de leur appareil. Les 204 broches assurent une connexion fiable et une stabilité en fonctionnement, ce qui fait de cette RAM un excellent choix pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur ordinateur portable Packard Bell.
- 100 % compatible avec Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035)
- Capacité de stockage de 8 Go pour des performances améliorées
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour un traitement rapide des données
- Économe en énergie avec une tension de 1,35 Volt.
Marque compatible | Packard Bell |
Modèle compatible | Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 22390153 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP139715 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Packard Bell |
Modèle compatible | Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | DDR3L-1600 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |