PHS-memory Mémoire RAM de 4 Go pour Samsung Ativ One 5 Style (DP515A2G-K01) DDR3 SO DIMM 1600MHz
Samsung Ativ One 5 Style DP515A2G-K01, 1 x 4GBLivré entre sam, 21/6 et jeu, 26/6
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Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Samsung Ativ One 5 Style (modèle DP515A2G-K01) et offre une extension fiable et performante de la mémoire vive. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et le format DDR3 SO-DIMM, cette RAM est un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur appareil. La mémoire est optimisée avec une tension de 1,35 Volt pour garantir une utilisation efficace de l'énergie. La compatibilité avec le modèle spécifique assure une installation facile et un fonctionnement fluide. Cette mémoire RAM est une excellente solution pour tous ceux qui souhaitent améliorer les capacités multitâches et la performance générale de leur Samsung Ativ One 5 Style.
- 100 % compatible avec le Samsung Ativ One 5 Style DP515A2G-K01
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
- Énergétiquement efficace avec une tension de 1,35 Volt
- Technologie de puce LPDDR3 pour des performances optimisées.
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung Ativ One 5 Style DP515A2G-K01 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14296537 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP228045 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung Ativ One 5 Style DP515A2G-K01 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Tension électrique | 1.35 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
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Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)