PHS-memory 8GB Mémoire RAM pour Asus AiO ET2030IUK-BC005Q DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3L-12800S
Asus Tout-en-un ET2030IUK-BC005Q, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle All-in-One Asus ET2030IUK-BC005Q et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et un format DDR3 SO-DIMM, cette RAM est optimale pour les exigences des applications modernes. La compatibilité avec l'Asus AiO garantit aux utilisateurs une installation facile et un fonctionnement fluide. La mémoire est idéale pour une utilisation dans des serveurs et des stations de travail, ce qui en fait une solution polyvalente pour divers domaines d'application. Avec une tension de 1,5 Volt, cette RAM assure une utilisation efficace de l'énergie, tandis que les 204 broches offrent une connexion stable à la carte mère. Ces caractéristiques font de la RAM PHS-memory un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent améliorer les performances de leur système Asus All-in-One.
- 100 % compatible avec l'Asus All-in-One ET2030IUK-BC005Q
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
- Idéal pour les applications de serveurs et de stations de travail
- Énergétiquement efficace avec une tension de 1,5 Volt.
Marque compatible | ASUS |
Modèle compatible | Asus Tout-en-un ET2030IUK-BC005Q |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Numéro d'article | 14214361 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP195332 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | ASUS |
Modèle compatible | Asus Tout-en-un ET2030IUK-BC005Q |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |