PHS-memory 8 Go de mémoire RAM pour Lenovo ThinkStation S20 (4157) DDR3 UDIMM ECC 1333MHz
Lenovo ThinkStation S20 (4157), 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la Lenovo ThinkStation S20 (4157) et offre une extension fiable et performante de la mémoire vive. Avec une capacité de 8 Go et une fréquence d'horloge de 1333 MHz, cette RAM DDR3 UDIMM ECC permet d'améliorer les performances et la stabilité du système, en particulier lors d'applications gourmandes en ressources. La technologie ECC (Error-Correcting Code) garantit que les erreurs de données sont automatiquement détectées et corrigées, ce qui augmente la fiabilité du système. Cette RAM est un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant mettre à niveau leur Lenovo ThinkStation S20 afin d'améliorer leur capacité multitâche et d'accélérer le traitement des données. L'installation est simple et ne nécessite pas de connaissances particulières, ce qui en fait une solution conviviale pour tous ceux qui souhaitent améliorer les performances de leur système.
- 100 % compatible avec Lenovo ThinkStation S20 (4157)
- Technologie ECC pour une sécurité des données améliorée
- Installation facile sans connaissances spécifiques requises.
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation S20 (4157) |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14216596 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP184287 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkStation S20 (4157) |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |