PHS-memory 4Go Mémoire RAM pour Fujitsu ESPRIMO E710 (D3161) DDR3 UDIMM 1600MHz
Fujitsu Esprimo E710 (D3161), 1 x 4GBPlus que 1 pièce en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Fujitsu Esprimo E710 (D3161) et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et le standard DDR3 UDIMM, cette mémoire garantit des performances optimales pour diverses applications. La configuration non tamponnée et les 240 broches assurent une installation facile et une compatibilité avec le système correspondant. Cette RAM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur Fujitsu Esprimo E710, que ce soit pour des applications bureautiques, multimédia ou d'autres tâches gourmandes en ressources. La capacité de 4 Go permet d'exécuter plusieurs applications simultanément sans perte de performance. L'utilisation de puces LPDDR3 contribue également à une efficacité énergétique améliorée, ce qui favorise un fonctionnement stable du système.
- 100 % compatible avec le Fujitsu Esprimo E710 (D3161)
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
- RAM non tamponnée pour une installation facile
- Puces LPDDR3 écoénergétiques pour un fonctionnement stable.
Marque compatible | Fujitsu |
Modèle compatible | Fujitsu Esprimo E710 (D3161) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 22260272 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP149807 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Fujitsu |
Modèle compatible | Fujitsu Esprimo E710 (D3161) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |