PHS-memory 4Go de mémoire RAM pour QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2 DDR3 UDIMM ECC 1600MHz
QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2, 1 x 4GBPlus que 2 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2 et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et la technologie DDR3 UDIMM ECC, cette RAM garantit des performances stables et sans erreur, essentielles pour les applications de serveur et de station de travail. La configuration non tamponnée et les 240 broches facilitent l'installation. Cette mémoire est idéale pour les utilisateurs souhaitant optimiser les performances de leurs systèmes QNAP, que ce soit pour le traitement de données, la virtualisation ou d'autres applications gourmandes en mémoire. La compatibilité avec le modèle spécifique assure aux utilisateurs une intégration sans faille.
- 100 % compatible avec le QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
- Technologie DDR3 UDIMM ECC non tamponnée pour la stabilité
- Idéal pour les applications de serveur et de station de travail.
Marque compatible | QNAP |
Modèle compatible | QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 22391408 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP153574 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | QNAP |
Modèle compatible | QNAP TVS-EC1680U-SAS-RP-16G-R2 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |