PHS-memory 4Go de mémoire RAM pour Dell Inspiron One 2330-5499 DDR3 SO DIMM 1600MHz

Dell Inspiron One 2330-5499, 1 x 4GB
Livré entre mer, 25/6 et sam, 28/6
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur

Informations sur le produit

La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Dell Inspiron One 2330-5499 et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et le format DDR3 SO-DIMM, cette RAM est une solution idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système. La compatibilité avec le Dell Inspiron One 2330-5499 garantit une installation facile et un fonctionnement fluide. La mémoire est dotée de 204 broches et fonctionne à une tension de 1,5 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour les applications informatiques modernes. Cette extension de RAM permet d'exécuter plusieurs applications simultanément et améliore la réactivité globale du système.

  • 100 % compatible avec le Dell Inspiron One 2330-5499
  • Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
  • Fonctionnement économe en énergie à 1,5 Volt.

Spécifications principales

Marque compatible
Vallon
Modèle compatible
Dell Inspiron One 2330-5499
Configuration de la mémoire
1 x 4GB
Type de mémoire vive
RAM DDR3
Fréquence de l'horloge de stockage
1333 MHz
Numéro d'article
14216778

Informations générales

Fabricant
PHS-memory
Catégorie
RAM spécifique au système
Réf. du fabricant
SP183985
Date de sortie
13/11/2020

Mémoire vive

Marque compatible
Vallon
Modèle compatible
Dell Inspiron One 2330-5499
Configuration de la mémoire
1 x 4GB
Type de mémoire vive
RAM DDR3
Fréquence de l'horloge de stockage
1333 MHz
Capacité de mémoire (RAM) par module
4 Go
Puce mémoire vive
LPDDR3
Facteur de forme mémoire vive
SO-DIMM
Nombre de broches
204 x

Alimentation

Tension électrique
1.50 V

Contribution climatique volontaire

CO₂-Emission
Contribution climatique

Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)

Comparer les produits

Convient

Critiques et opinions