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PHS-memory 4 Go de mémoire RAM pour Tyan S5515 (S5515AG2NR) DDR3 UDIMM ECC 1333MHz
Tyan S5515 (S5515AG2NR), 1 x 4GBLivré entre ven, 26/9 et sam, 27/9
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Informations sur le produit
Cette mémoire RAM de 4 Go est 100 % compatible avec le Tyan S5515 (S5515AG2NR). Que faut-il prendre en compte lors de la mise à niveau de la RAM ? Il est possible d'utiliser différentes tailles de RAM dans les emplacements. Le mode dual-channel rapide est optimalement pris en charge lors de l'installation pairée de la mémoire. En cas de mélange de différentes tailles de mémoire, le mode dual-channel est activé partiellement. Par exemple, avec une configuration de 4 Go et 8 Go, la technologie Intel Flex activerait le fonctionnement en dual-channel sur les premiers 8 Go.
Marque compatible | Tyan |
Modèle compatible | Tyan S5515 (S5515AG2NR) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Numéro d'article | 22409432 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP157053 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Tyan |
Modèle compatible | Tyan S5515 (S5515AG2NR) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
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