PHS-memory 4 Go de mémoire RAM pour Tyan S5510-LE (S5510G2NR-LE) DDR3 UDIMM ECC 1333MHz
Tyan S5510-LE (S5510G2NR-LE), 1 x 4GBLivraison gratuite à partir de 50.–
Cette mémoire RAM de 4 Go est 100 % compatible avec le Tyan S5510-LE (S5510G2NR-LE). Que faut-il prendre en compte lors de l'augmentation de la RAM ? Il est possible d'utiliser différentes tailles de RAM dans les emplacements. Le mode Dual-Channel rapide est optimalement pris en charge lors de l'installation par paires de la mémoire. En cas de mélange de différentes tailles de mémoire, le mode Dual-Channel est activé partiellement. Par exemple, avec une configuration de 4 Go et 8 Go, le fonctionnement en Dual-Channel serait activé sur les premiers 8 Go grâce à la technologie Intel Flex.
Marque compatible | Tyan |
Modèle compatible | Tyan S5510-LE (S5510G2NR-LE) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Numéro d'article | 22409431 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP157045 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Tyan |
Modèle compatible | Tyan S5510-LE (S5510G2NR-LE) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |