PHS-memory 4 Go de mémoire RAM pour Sony VAIO VGN-NW11S/S DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Sony VAIO VGN-NW11S/S, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO VGN-NW11S/S et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 800 MHz et une capacité de 4 Go, cette mémoire DDR2 SO-DIMM permet une meilleure capacité multitâche et un traitement des données plus rapide. La compatibilité avec le Sony VAIO VGN-NW11S/S garantit une installation facile et des performances optimales. La RAM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur ordinateur portable, que ce soit pour des applications quotidiennes ou des tâches plus exigeantes. Avec une tension de 1,8 Volt et 200 broches, cette mémoire vive est un excellent choix pour la mise à niveau du système.
- 100 % compatible avec le Sony VAIO VGN-NW11S/S
- Permet d'améliorer les capacités multitâches
- Installation facile grâce au format SO-DIMM.
Marque compatible | Sony |
Modèle compatible | Sony VAIO VGN-NW11S/S |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Numéro d'article | 22395243 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP129012 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Sony |
Modèle compatible | Sony VAIO VGN-NW11S/S |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Tension électrique | 1.80 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |