PHS-memory 4 Go de mémoire RAM pour Samsung série 4 NP400B5B-H01 DDR3 SO DIMM 1333MHz
Samsung série 4 NP400B5B-H01, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le notebook Samsung 4 Série NP400B5B-H01. Avec une capacité de stockage de 4 Go et une fréquence de mémoire de 1333 MHz, ce module DDR3 SO-DIMM offre une solution fiable et performante pour améliorer les performances du système. Le facteur de forme 204 broches permet une installation facile et une compatibilité avec le modèle de notebook correspondant. Cette mémoire RAM est idéale pour les utilisateurs souhaitant augmenter les performances de leur appareil, que ce soit pour des applications quotidiennes ou des tâches plus exigeantes. L'utilisation de puces LPDDR3 garantit une gestion efficace de l'énergie, contribuant ainsi à une autonomie prolongée du notebook. Avec une tension de 1,5 Volt, cette mémoire RAM est à la fois puissante et économe en énergie, ce qui en fait un excellent choix pour le Samsung 4 Série NP400B5B-H01.
- 100 % compatible avec le Samsung 4 Série NP400B5B-H01
- Gestion efficace de l'énergie grâce aux puces LPDDR3
- Installation facile grâce au facteur de forme SO-DIMM 204 broches
- Optimisé pour les applications de notebook avec une tension de 1,5 Volt.
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | Samsung série 4 NP400B5B-H01 |
Marque compatible | Samsung |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Numéro d'article | 14234673 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP188231 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung série 4 NP400B5B-H01 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204x |
Tension électrique | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |