PHS-memory 32 Go de mémoire RAM pour Toshiba Satellite Pro C50-E-102 DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S
Toshiba Satellite Pro C50-E-102, 1 x 32GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 32 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Toshiba Satellite Pro C50-E-102 et offre des performances optimales pour des applications exigeantes. Avec une capacité de stockage de 32 gigaoctets et une fréquence d'horloge de 2666 MHz, cette mémoire DDR4 SO-DIMM permet une meilleure capacité de multitâche et un traitement des données plus rapide. La compatibilité avec le Toshiba Satellite Pro C50-E-102 garantit une installation facile et des performances fiables. La RAM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système, que ce soit pour des applications bureautiques, des logiciels créatifs ou d'autres tâches gourmandes en mémoire. Avec une tension de 1,2 Volt, cette mémoire assure une utilisation écoénergétique, tandis que les 260 broches garantissent une connexion stable. Cette RAM est un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent optimiser les performances de leur ordinateur portable Toshiba.
- Compatible avec Toshiba Satellite Pro C50-E-102
- Permet un multitâche amélioré et un traitement des données plus rapide
- Utilisation écoénergétique avec 1,2 Volt
- Installation facile grâce au format SO-DIMM.
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Modèle compatible | Toshiba Satellite Pro C50-E-102 |
Marque compatible | Toshiba |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Numéro d'article | 22409548 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP368146 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Toshiba |
Modèle compatible | Toshiba Satellite Pro C50-E-102 |
Configuration de la mémoire | 1 x 32GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 32 Go |
Puce mémoire vive | DDR4-2666 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 260 x |
Tension électrique | 1.20 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |