PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Sony VAIO VGN-FW11E DDR2 SO DIMM 667MHz
Sony VAIO VGN-FW11E, 1 x 2GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO VGN-FW11E et offre une extension fiable et performante de la mémoire vive. Avec une capacité de 2 Go et une fréquence d'horloge de 667 MHz, cette RAM DDR2 SO-DIMM améliore les performances du système et permet une exécution fluide des applications. La compatibilité avec le Sony VAIO VGN-FW11E garantit une installation facile et une intégration sans faille dans les systèmes existants. La mémoire est dotée de 200 broches et fonctionne à une tension de 1,8 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur ordinateur portable. Cette RAM est une solution idéale pour tous ceux qui souhaitent optimiser les performances de leur ordinateur portable Sony VAIO.
- 100 % compatible avec Sony VAIO VGN-FW11E
- Tension économe en énergie de 1,8 Volt
- Optimisée pour une meilleure performance du système.
Marque compatible | Sony |
Modèle compatible | Sony VAIO VGN-FW11E |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 22395418 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP326925 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Sony |
Modèle compatible | Sony VAIO VGN-FW11E |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Tension électrique | 1.80 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |