PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Samsung NP-Q45F001 DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Samsung NP-Q45-F001, 1 x 2GBLivré entre ven, 27/6 et mer, 2/7
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Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Samsung NP-Q45F001 et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence d'horloge de 667 MHz et la technologie DDR2 SO-DIMM, cette RAM garantit des performances optimales pour les applications quotidiennes et le multitâche. La configuration de mémoire 1 x 2 Go permet une installation facile et est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur appareil. La mémoire vive est conçue pour fonctionner à une tension de 1,8 Volt et offre une grande compatibilité avec le modèle Samsung correspondant. Cette extension de RAM est une solution économique pour améliorer les performances et la réactivité du système.
- Compatible avec Samsung NP-Q45F001
- Technologie DDR2 SO-DIMM
- Fréquence d'horloge de 667 MHz
- Installation facile avec une configuration de mémoire 1 x 2 Go.
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung NP-Q45-F001 |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 14247143 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP123592 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung NP-Q45-F001 |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-667 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Tension électrique | 1.80 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
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Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)