PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0) DDR2 UDIMM 800MHz PC2-6400U
Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0), 1 x 2GBPlus que 3 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la carte mère Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0) et offre une extension fiable et performante de la mémoire vive. Avec une capacité de 2 Go et une fréquence d'horloge de 800 MHz (PC2-6400U), ce RAM DDR2 UDIMM est un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système. La RAM non tamponnée est facile à installer et permet une meilleure réactivité du système, notamment lors des applications multitâches. La configuration à 240 broches garantit une intégration sans faille dans la carte mère compatible, tandis que la tension de fonctionnement de 1,8 Volt assure une gestion efficace de l'énergie. Cette mémoire RAM est une solution économique pour optimiser les performances des systèmes plus anciens et améliorer l'expérience utilisateur.
- 100 % compatible avec Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0)
- Capacité de 2 Go pour de meilleures performances système
- Fréquence d'horloge de 800 MHz pour un traitement rapide des données
- RAM non tamponnée pour une installation facile et une utilisation efficace.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Modèle compatible | Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0) |
Marque compatible | Gigaoctet |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Numéro d'article | 22263184 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP151936 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Gigaoctet |
Modèle compatible | Gigabyte GA-M55plus-S3G (rev. 3.0) |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 240x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine, Royaume-Uni |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |