PHS-memory 2GB Mémoire RAM pour Acer Ferrari One 200-314G50N DDR2 SO DIMM
Acer Ferrari One 200-314G50N, 1 x 2GBLivré entre mar, 30/12 et ven, 2/1
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Livraison gratuite à partir de 50.–
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour l'Acer Ferrari One 200-314G50N et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une capacité de stockage de 2 Go et une fréquence d'horloge de 667 mégahertz (MHz), cette mémoire DDR2 SO-DIMM permet d'améliorer les performances du système et d'exécuter les applications en toute fluidité. La configuration à 200 broches et la tension de fonctionnement de 1,8 volt garantissent une compatibilité et une efficacité optimales. Ce RAM est un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant augmenter les performances de leur Acer Ferrari One 200-314G50N, que ce soit pour des tâches quotidiennes ou des applications plus exigeantes.
- 100 % compatible avec l'Acer Ferrari One 200-314G50N
- Fréquence d'horloge de 667 MHz pour des performances améliorées
- Énergétiquement efficace avec une tension de 1,8 V.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Modèle compatible | Acer Ferrari One 200-314G50N |
Marque compatible | Acer |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 14224174 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP127470 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Acer |
Modèle compatible | Acer Ferrari One 200-314G50N |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-667 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
Les spécifications peuvent inclure des traductions automatiques non vérifiées.
Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)
1 offre supplémentaire