PHS-memory 16 Go de mémoire RAM pour Supermicro X11SDV-16C-TLN2F DDR4 RDIMM 2666MHz PC4-2666V-R
Supermicro X11SDV-16C-TLN2F, 1 x 16GB10 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 16 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la Supermicro X11SDV-16C-TLN2F et offre une solution fiable et performante pour vos besoins en mémoire. Avec une fréquence de mémoire de 2666 MHz et la technologie DDR4-RAM, cette mémoire garantit un taux de transfert de données élevé et une efficacité énergétique améliorée. La RAM est réalisée en tant que DIMM enregistré (RDIMM), ce qui permet une performance stable dans des applications exigeantes. La compatibilité avec différentes technologies de mémoire, y compris RDIMM et LRDIMM, offre une flexibilité pour l'extension de la mémoire. Il est important de vérifier la technologie de mémoire existante pour garantir des performances optimales. Cette mémoire RAM est un excellent choix pour les utilisateurs souhaitant mettre à niveau leurs systèmes avec de la mémoire supplémentaire afin d'améliorer les performances et de maximiser l'efficacité.
- Compatible avec Supermicro X11SDV-16C-TLN2F
- RAM DDR4 avec une fréquence de 2666 MHz
- ECC Registered pour une stabilité améliorée
- Flexibilité dans l'utilisation des technologies RDIMM et LRDIMM.
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro X11SDV-16C-TLN2F |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Mémoire tampon RAM | Enregistré |
Numéro d'article | 22401798 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP329645 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Supermicro |
Modèle compatible | Supermicro X11SDV-16C-TLN2F |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2666 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 16 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | R-DIMM |
Nombre de broches | 288 x |
Mémoire tampon RAM | Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Corée du Sud |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |