Memorysolution DDR3L
Lenovo B70-80, 1 x 8GB5 pièces en stock chez le fournisseur tiers
Modèle
- 255 G5CHF94.84
- 8560p, 6360t, 6460b, 8460p, 2760p, ProBook 6360b, 6560b, EliteBook 2560p, 6465b, 6565b, 8460w, 8560w, 8760wCHF78.70
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Informations sur le produit
Le module de RAM Memorysolution DDR3L offre une capacité de 8 Go et est spécialement conçu pour une utilisation dans les appareils Lenovo B70-80. Avec une vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800) et une tension de fonctionnement de seulement 1,35 V, ce module SO DIMM 204-PIN est idéal pour des applications écoénergétiques. Il s'agit d'un module de mémoire non tamponné et non-ECC, garantissant des performances fiables pour les tâches et applications quotidiennes. La technologie DDR3L SDRAM permet une meilleure efficacité énergétique par rapport à la RAM DDR3 traditionnelle, ce qui en fait un excellent choix pour les utilisateurs soucieux de la performance et des économies d'énergie. Ce module est une excellente option pour une mise à niveau ou un remplacement dans les ordinateurs portables Lenovo compatibles.
- Technologie basse tension de 1,35 V pour une efficacité énergétique
- Design non tamponné pour des performances améliorées
- Compatible avec les modèles Lenovo B70-80
- Haute vitesse de 1600 MHz (PC3L-12800).
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo B70-80 |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14252422 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | MS8192LEN-NB012 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Liens externes |
Couleur | Vert |
Couleur exacte | Vert |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo B70-80 |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3L |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.35 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |