Memorysolution DDR2
E6400 ATG, E6400 XFR, Latitude E6400, 1 x 4GBPlus que 1 pièce en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
Fiche d'information : MemorySolutioN - DDR2 - 4 Go - SO DIMM 200-PIN - 800 MHz / PC2-6400 - 1.8 V - sans tampon - non-ECC - pour Dell Latitude E6400, E6400 ATG, E6400 XFR Groupe RAM Fabricant : MemorySolutioN Fabricant : Art. MS4096DE114 Modèle EAN/UPC 4047762282295 Description du produit : MemorySolutioN - DDR2 - 4 Go - SO DIMM 200-PIN Type de mémoire RAM Capacité 4 Go Type de mémoire DDR2 SDRAM - SO DIMM 200-PIN Type d'extension spécifique au système Contrôle de l'intégrité des données Non-ECC Vitesse 800 MHz (PC2-6400) Caractéristiques de performance Non mis en mémoire tampon Tension 1.8 V Référence équivalente du fabricant OEM DELL A1837303 Conçu pour Dell Latitude E6400, E6400 ATG, E6400 XFR Détails détaillés Généralités Capacité 4 Go Type d'extension Spécifique au système Référence équivalente du fabricant OEM DELL A1837303 Type de mémoire DRAM Technologie DDR2 SDRAM Facteur de forme SO DIMM 200-PIN Vitesse 800 MHz (PC2-6400) Contrôle d'intégrité des données Non-ECC Particularités non mises en mémoire tampon Tension 1.8 V Informations sur la compatibilité.
Marque compatible | Vallon |
Modèle compatible | E6400 ATG, E6400 XFR, Latitude E6400 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 19455043 |
Fabricant | Memorysolution |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | A1837303 |
Date de sortie | 23/2/2022 |
Marque compatible | Vallon |
Modèle compatible | E6400 ATG, E6400 XFR, Latitude E6400 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 800 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 2 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-800 (PC2-6400) |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |