Nombre de modules de mémoire

Un module de mémoire ou verrou de mémoire est une petite carte de circuit imprimé sur laquelle plusieurs composants de mémoire (RAM dynamique sous forme de circuits intégrés) sont soudés. Les modules de mémoire forment ou étendent la mémoire principale des appareils électroniques tels que les ordinateurs ou les imprimantes et sont branchés dans des emplacements spécialement conçus à cet effet.

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Type de mémoire

DDR-SDRAM ("Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory") est un type de mémoire vive (RAM) actuellement disponible en trois catégories. DDR-SDRAM avec 184 contacts, DDR2-SDRAM avec 240 contacts et DDR3-SDRAM également avec 240 contacts. Ils sont principalement utilisés pour les modules de mémoire du standard DIMM ou SO-DIMM comme mémoire principale dans les PC et les ordinateurs portables.

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Puce de mémoire

La mémoire vive, ou mémoire système aussi appelée RAM de l'anglais Random Access Memory est la mémoire informatique dans laquelle un ordinateur place les données lors de leur traitement. Les caractéristiques de cette mémoire sont :

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Facteur de forme de RAM

Le DIMM (pour Dual Inline Memory Module) est un format de barrette de mémoire vive qui est utilisé sur les ordinateurs depuis l’abandon progressif du format SIMM. Ce format est exploité par les mémoires SDRAM et DDR SDRAM

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Mémoire tampon RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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tRCD

Le paramètre tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) décrit pour une DRAM le temps qui doit s'être écoulé après l'activation d'une ligne de mot (activate) avant qu'une commande de lecture puisse être envoyée.

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tRAS

Le paramètre tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) décrit le temps qui doit s'être écoulé après l'activation d'une ligne (ou d'une ligne dans une banque) avant qu'une commande de désactivation de la ligne (précharge, fermeture de la banque) puisse être envoyée.

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tRP

Le paramètre "tRP" ("Row Precharge Time") décrit le temps minimum qui doit s'être écoulé après une commande de précharge avant qu'une nouvelle commande puisse être envoyée pour activer une ligne dans la même banque.

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XMP

Extreme Memory Profiles (XMP) sont des certifications pour les modules de mémoire DDR3 du secteur PC introduites par Intel.

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Tension électrique

La tension électrique est la circulation du champ électrique le long d'un circuit. Elle est souvent confondue avec la différence de potentiel électrique entre deux points d'un circuit électrique. Les deux notions ne coïncident toutefois strictement qu'en régime stationnaire : en régime variable, la circulation du champ électrique n'étant plus conservative en raison du phénomène d'induction électromagnétique, la différence de potentiel perd toute signification physique et seule la tension reste mesurable.

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