Memorysolution DDR3L
Toshiba Satellite Pro R50, X70, S50, C850, M50, P70, Z50, C55, U50, S70, R940, L850, R50, C50, L870, S55, 1 x 4GBConsegna tra gio, 24.7. e mar, 29.7.
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Informazioni sul prodotto
Il modulo RAM Memorysolution DDR3L offre un'espansione di memoria affidabile e potente per diversi notebook Toshiba. Con una capacità di 4 GB e una velocità di 1600 MHz (PC3-12800), questo modulo SO-DIMM da 204 pin è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni dei loro dispositivi. Il design unbuffered e la tecnologia Non-ECC garantiscono un'elaborazione dei dati efficiente, mentre la compatibilità con una vasta gamma di modelli Toshiba, comprese le serie Dynabook Portégé e Satellite, è assicurata. Questo modulo è un'ottima scelta per chi cerca una soluzione economica per migliorare le prestazioni del sistema. L'installazione semplice e l'alta affidabilità lo rendono un'opzione preferita per aggiornamenti o riparazioni.
- Capacità di memoria di 4 GB per prestazioni migliorate
- Velocità di 1600 MHz per un'elaborazione dei dati rapida
- Design unbuffered per un utilizzo efficiente
- Compatibile con una vasta gamma di notebook Toshiba.
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | C50, C55, C850, L850, L870, M50, P70, R50, R940, S50, S55, S70, Toshiba Satellite Pro R50, U50, X70, Z50 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 13391658 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | PA5104U-1M4G |
Data di rilascio | 30.6.2020 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Toshiba |
Modello compatibile | C50, C55, C850, L850, L870, M50, P70, R50, R940, S50, S55, S70, Toshiba Satellite Pro R50, U50, X70, Z50 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3-1600 (PC3-12800) |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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