Memorysolution DDR3L

Toshiba Satellite Pro R50, 1 x 4GB
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Informazioni sul prodotto

Il modulo RAM Memorysolution DDR3L offre un'espansione di memoria affidabile e potente per vari notebook Toshiba. Con una capacità di 4 GB e una velocità di 1600 MHz (PC3-12800), questo modulo SO DIMM a 204 pin è ideale per gli utenti che necessitano di prestazioni di sistema migliorate e capacità di multitasking. Il modulo è non bufferizzato e supporta il controllo dell'integrità dei dati Non-ECC, rendendolo una scelta eccellente per applicazioni e compiti quotidiani. Progettato per una varietà di modelli Toshiba, tra cui le serie Dynabook Portégé e Satellite, questo modulo RAM garantisce un'integrazione e una compatibilità senza soluzione di continuità. L'uso della tecnologia DDR3L SDRAM assicura una gestione energetica efficiente, particolarmente vantaggiosa per i dispositivi mobili. Questo modulo rappresenta una soluzione economica per aggiornare i sistemi esistenti e migliorare le prestazioni complessive.

  • Compatibile con una varietà di notebook Toshiba, incluse le serie Dynabook Portégé e Satellite
  • Design non bufferizzato per prestazioni e stabilità migliorate
  • Tecnologia DDR3L SDRAM a basso consumo energetico per una maggiore durata della batteria
  • Controllo dell'integrità dei dati Non-ECC per un'elaborazione dei dati affidabile
  • Ottimizzato per il multitasking e applicazioni impegnative.

Le specifiche più importanti in sintesi

Marca compatibile
Toshiba
Modello compatibile
Toshiba Satellite Pro R50
Configurazione della memoria
1 x 4GB
Tipo di RAM
DDR3L-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1600 MHz
RAM tampone
Senza buffer
No. di articolo
19454568

Informazioni generali

Produttore
Memorysolution
Categoria
Memoria RAM (modelli specifici)
No. di fabbricazione
PA5104U-1M4G
Data di rilascio
23.2.2022

RAM

Marca compatibile
Toshiba
Modello compatibile
Toshiba Satellite Pro R50
Configurazione della memoria
1 x 4GB
Settori di utilizzo
Notebook
Tipo di RAM
DDR3L-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1600 MHz
Capacità memoria (RAM) per modulo
4 GB
Chip RAM
DDR3-1600 (PC3-12800)
Forma RAM
SO-DIMM
Numero di pin
204 x
RAM tampone
Senza buffer

Origine

Paese di origine
Cina

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Contributo climatico

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