PHS-memory RAM adatta per Acer Nitro 5 AN517-51-764G
Acer Nitro 5 AN517-51-764G, 1 x 16GBConsegna tra 5.1.2026 e 9.1.2026
Più di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Più di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Offerta di
JACOB DE
spedizione gratuita
Configurazione della memoria2
Informazioni sul prodotto
La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per l'Acer Nitro 5 AN517-51-764G e offre una capacità di memoria di 16 GB. Questa RAM DDR4 è dotata di una frequenza di clock di 2666 MHz, garantendo prestazioni efficienti e potenti per diverse applicazioni. Il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice nei dispositivi compatibili. Con una tensione di 1,2 Volt, questa memoria opera in modo energeticamente efficiente e contribuisce alle prestazioni complessive del sistema. La compatibilità al 100% con l'Acer Nitro 5 AN517-51-764G assicura che gli utenti possano beneficiare di un'integrazione senza soluzione di continuità e di una velocità di sistema migliorata.
- Capacità di memoria di 16 GB per migliori capacità di multitasking
- RAM DDR4 con una frequenza di clock di 2666 MHz per elevate velocità di trasferimento dati
- Fattore di forma SO-DIMM per un'installazione semplice nei laptop
- Tensione energeticamente efficiente di 1,2 Volt per prestazioni ottimizzate.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Modello compatibile | Acer Nitro 5 AN517-51-764G |
Marca compatibile | Acer |
Configurazione della memoria | 1 x 16GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2666 MHz |
No. di articolo | 22353930 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP370292 |
Data di rilascio | 16.9.2022 |
Colore LED | Senza LED |
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Nitro 5 AN517-51-764G |
Configurazione della memoria | 1 x 16GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2666 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 16 GB |
Chip RAM | DDR4-2666 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 260x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.20 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Altezza | 30.13 mm |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)
1 offerta aggiuntiva