PHS-memory RAM passend für Lenovo ThinkStation P3 Tower Gen 2 (30HS)
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Informazioni sul prodotto
La RAM da 16GB di PHS-memory è progettata specificamente per la Lenovo ThinkStation P3 Tower Gen 2 e offre prestazioni ottimali per applicazioni esigenti. Con una frequenza di clock della memoria di 5600 MHz e la più recente tecnologia DDR5, questa memoria garantisce un'elaborazione dei dati rapida e un'efficienza migliorata. Il fattore di forma U-DIMM e i 288 pin assicurano un'installazione semplice e compatibilità con l'hardware corrispondente. Con una tensione di soli 1.1 Volt, questa RAM non è solo potente, ma anche energeticamente efficiente, rendendola una scelta ideale per utenti professionali che dipendono da affidabilità e velocità.
- 100% compatibile con Lenovo ThinkStation P3 Tower Gen 2
- Alta frequenza di clock della memoria di 5600 MHz per prestazioni migliorate
- Energeticamente efficiente con solo 1.1 Volt di tensione operativa
- Fattore di forma U-DIMM per un'installazione semplice.
Marca compatibile | Lenovo |
Tipo di RAM | RAM DDR5 |
Frequenza di clock di memorizzazione | 6400 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 57986455 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP581214 |
Data di rilascio | 25.4.2025 |
Marca compatibile | Lenovo |
Settori di utilizzo | Standard |
Tipo di RAM | RAM DDR5 |
Frequenza di clock di memorizzazione | 6400 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 16 GB |
Chip RAM | DDR5 |
Forma RAM | DIMM |
Numero di pin | 288x |
RAM tampone | Senza buffer |
Paese di origine | Taiwan |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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