PHS-memory RAM adatta per Samsung NP-R730-JT07DE
Samsung NP-R730-JT07EN, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La RAM PHS-memory è una memoria specializzata progettata per il modello Samsung NP-R730-JT07DE. Con una capacità di 4 GB, questa RAM DDR3 offre prestazioni affidabili per diverse applicazioni. La frequenza di clock della memoria di 1066 MHz garantisce un'elaborazione dei dati efficiente, mentre il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice nei dispositivi compatibili. Questa RAM è ideale per gli utenti che desiderano ottimizzare le prestazioni del proprio Samsung NP-R730-JT07DE, sia per attività quotidiane che per applicazioni più impegnative. L'uso di chip LPDDR3 assicura una maggiore efficienza energetica e stabilità, contribuendo a un miglioramento complessivo delle prestazioni del sistema. Con una tensione di 1,5 Volt, questa RAM è sia potente che energeticamente efficiente, rendendola un'ottima scelta per il tuo dispositivo.
- 100% compatibile con Samsung NP-R730-JT07DE
- Frequenza di clock della memoria di 1066 MHz
- Fattore di forma SO-DIMM per un'installazione semplice
- Chip LPDDR3 per una maggiore efficienza energetica.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JT07EN |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22391827 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP371473 |
Data di rilascio | 16.9.2022 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JT07EN |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |