PHS-memory RAM adatta per Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035)
Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035), 1 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) e offre una capacità di memoria di 8 GB. Questa RAM DDR3 è una soluzione ideale per migliorare le prestazioni del sistema, garantendo un'esecuzione fluida delle applicazioni e del multitasking. Con una frequenza di clock della memoria di 1600 MHz e una tensione di 1,35 Volt, questa memoria è sia energeticamente efficiente che potente. Il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice nei laptop compatibili, offrendo agli utenti la possibilità di ottimizzare le prestazioni del proprio dispositivo. I 204 pin garantiscono una connessione affidabile e stabilità durante il funzionamento, rendendo questa RAM un'ottima scelta per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop Packard Bell.
- 100% compatibile con Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035)
- Capacità di memoria di 8 GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock della memoria di 1600 MHz per un'elaborazione dati veloce
- Energeticamente efficiente con una tensione di 1,35 Volt.
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 22390153 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP139715 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote TE69KB-12502G50Mnsk (NX.C2CEG.035) |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | DDR3L-1600 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |