PHS-memory RAM adatta a Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0)
Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0), 1 x 4GBConsegna tra gio, 7.5. e mar, 12.5.
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Informazioni sul prodotto
La RAM di PHS-memory è progettata specificamente per la scheda madre Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0) e offre una capacità di memoria di 4 GB. Con una frequenza di clock della memoria di 2666 MHz, questa RAM DDR4 garantisce prestazioni efficienti e affidabili per diverse applicazioni. Il fattore di forma SO-DIMM la rende ideale per sistemi compatti, mentre la tensione di 1.2 Volt consente un utilizzo energeticamente efficiente. Questa memoria è un'ottima scelta per chi desidera ottimizzare le prestazioni del proprio sistema senza compromettere la compatibilità. La compatibilità al 100% con il Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0) assicura agli utenti un'installazione semplice e un funzionamento fluido.
- Frequenza di clock della memoria di 2666 MHz per prestazioni migliorate
- Fattore di forma SO-DIMM per sistemi compatti
- Tensione energeticamente efficiente di 1.2 Volt.
Marca compatibile | Gigabyte |
RAM per il modello | Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2666 MHz |
No. di articolo | 22338393 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP363068 |
Data di rilascio | 16.9.2022 |
Marca compatibile | Gigabyte |
RAM per il modello | Gigabyte GA-IMB410N (rev. 1.0) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 2666 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR4 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 260x |
Tensione elettrica | 1.20 V |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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