PHS-memory 8GB di memoria RAM per Sony VAIO SVE1712Q1EW DDR3 SO DIMM 1600MHz
Sony VAIO SVE1712Q1EW, 1 x 8GBConsegna tra lun, 13.4. e mer, 15.4.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 8GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO SVE1712Q1EW e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una capacità di 8 Gigabyte e una frequenza di clock di 1600 MHz, questa RAM DDR3 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e una più rapida elaborazione dei dati. La compatibilità con il Sony VAIO SVE1712Q1EW garantisce un'installazione semplice e prestazioni ottimali. La RAM è dotata di 204 pin e opera a una tensione di 1,35 Volt, rendendola energeticamente efficiente. Questo modulo di memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi.
- 100% compatibile con Sony VAIO SVE1712Q1EW
- DDR3 SO-DIMM con frequenza di clock di 1600 MHz
- Energeticamente efficiente con tensione di 1,35 Volt
- Prestazioni ottimali per multitasking ed elaborazione dei dati.
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO SVE1712Q1EW |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 22395195 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP140334 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO SVE1712Q1EW |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |
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