PHS-memory 8GB di memoria RAM per HP TouchSmart 520-1002es DDR3 SO DIMM 1333MHz
HP TouchSmart 520-1002es, 1 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 8GB di PHS-memory è progettata specificamente per l'HP TouchSmart 520-1002es e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una capacità di 8GB, questa memoria DDR3 SO DIMM consente un miglioramento delle capacità di multitasking e una più rapida elaborazione dei dati. La configurazione della memoria è impostata su 1 x 8GB, garantendo un'installazione e un'integrazione semplici nel sistema esistente. La RAM opera a una frequenza di clock di 1333 MHz e a una tensione di 1,5 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del loro HP TouchSmart 520-1002es. Questa memoria non è solo compatibile, ma rappresenta anche una soluzione economica per ottimizzare le prestazioni complessive del dispositivo.
- Compatibile con HP TouchSmart 520-1002es
- DDR3 SO DIMM con frequenza di clock di 1333 MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di 1,5 Volt
- Facile da installare con configurazione 1 x 8GB.
Marca compatibile | CV |
Modello compatibile | HP TouchSmart 520-1002es |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14283796 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP201326 |
Data di rilascio | 14.11.2020 |
Marca compatibile | CV |
Modello compatibile | HP TouchSmart 520-1002es |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |