PHS-memory 8GB di memoria RAM per Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) DDR3 UDIMM 1600MHz

Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0), 1 x 8GB
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Informazioni sul prodotto

La memoria RAM da 8GB di PHS-memory è progettata specificamente per la scheda madre Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) e offre una soluzione affidabile e potente per l'espansione della memoria. Con una frequenza di clock di 1600 MHz, questo RAM DDR3 UDIMM migliora le prestazioni del sistema e consente un multitasking fluido. Il design unbuffered consente una comunicazione diretta tra la RAM e la CPU, aumentando l'efficienza. La configurazione a 240 pin garantisce un'installazione semplice nei sistemi compatibili. Questa RAM è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio sistema, sia per il gaming, applicazioni creative o attività quotidiane.

  • 100% compatibile con Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0)
  • Frequenza di clock di 1600 MHz per prestazioni migliorate
  • Design unbuffered per comunicazione diretta con la CPU
  • Installazione semplice grazie alla configurazione a 240 pin.

Le specifiche più importanti in sintesi

RAM tampone
Senza buffer
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Modello compatibile
Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0)
Marca compatibile
Gigabyte
Configurazione della memoria
1 x 8GB
Frequenza di clock di memorizzazione
1600 MHz
No. di articolo
22263118

Informazioni generali

Produttore
PHS-memory
Categoria
Memoria RAM (modelli specifici)
No. di fabbricazione
SP152330
Data di rilascio
19.4.2021

RAM

Marca compatibile
Gigabyte
Modello compatibile
Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0)
Configurazione della memoria
1 x 8GB
Tipo di RAM
DDR3-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
1600 MHz
Capacità memoria (RAM) per modulo
8 GB
Chip RAM
LPDDR3
Forma RAM
U-DIMM
Numero di pin
240 x
RAM tampone
Senza buffer

Alimentazione

Tensione elettrica
1.35 V

Contributo climatico volontario

Emissione di CO₂
Contributo climatico

30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)
1 offerta aggiuntiva

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