PHS-memory 8GB di memoria RAM per Acer Aspire V5-122P-42154G50nss DDR3 SO DIMM 1600MHz
Acer Aspire V5-122P-42154G50nss, 1 x 8GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 8GB di PHS-memory è stata progettata specificamente per l'Acer Aspire V5-122P-42154G50nss e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1600 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è ottimale per le esigenze delle applicazioni moderne e del multitasking. La configurazione a 204 pin garantisce un'installazione semplice e la compatibilità con il modello di laptop corrispondente. Questa memoria consente di migliorare le prestazioni del sistema e offre un'esperienza utente fluida, ideale per studenti, professionisti e appassionati di tecnologia che danno valore all'efficienza. L'uso di chip LPDDR3 assicura un'elevata efficienza energetica e stabilità, contribuendo a una maggiore durata del dispositivo. Con questo modulo RAM, gli utenti possono aumentare significativamente le prestazioni del loro laptop Acer Aspire e soddisfare al contempo le esigenze del software moderno.
- 100% compatibile con Acer Aspire V5-122P-42154G50nss
- Frequenza di clock di 1600 MHz per prestazioni migliorate
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per una maggiore durata
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM a 204 pin.
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Aspire V5-122P-42154G50nss |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 14275881 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP177467 |
Data di rilascio | 14.11.2020 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Aspire V5-122P-42154G50nss |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |