PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VGN-TT11VN DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VGN-TT11VN, 1 x 4GBConsegna tra gio, 4.9. e sab, 6.9.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-TT11VN e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di archiviazione di 4 gigabyte e una frequenza di clock di 1066 MHz, questa RAM DDR3 SO-DIMM migliora le prestazioni del sistema e consente un'esecuzione fluida delle applicazioni. La memoria è progettata per funzionare a una tensione di 1,5 Volt, garantendo un'alta efficienza energetica. I 204 pin del modulo assicurano un'installazione semplice e la compatibilità con il modello di laptop corrispondente. Questa RAM è una scelta ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO.
- 100% compatibile con Sony VAIO VGN-TT11VN
- Capacità di archiviazione di 4GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock di 1066 MHz per una rapida elaborazione dei dati
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di funzionamento di 1,5 Volt.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-TT11VN |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22396449 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP273357 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-TT11VN |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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