PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VPCZ12C5E DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VPCZ12C5E, 1 x 4GBConsegna tra mer, 6.5. e ven, 8.5.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VPCZ12C5E e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e un fattore di forma SO-DIMM, questa RAM DDR3 è ottimale per le esigenze delle applicazioni moderne. La capacità di memoria di 4 GB consente una migliore capacità di multitasking e garantisce un'esperienza utente più fluida. La memoria è progettata per funzionare a 1,5 Volt, assicurando un utilizzo efficiente dell'energia. La compatibilità con il Sony VAIO VPCZ12C5E garantisce agli utenti un'installazione semplice e un funzionamento senza problemi.
- 100% compatibile con Sony VAIO VPCZ12C5E
- RAM DDR3 con fattore di forma SO-DIMM
- Frequenza di clock di 1066 MHz per prestazioni migliorate
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di 1,5 Volt.
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO VPCZ12C5E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
RAM tampone | Senza buffer |
No. di articolo | 22396825 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP122548 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Illuminazione a LED | Senza LED |
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO VPCZ12C5E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3L-1066 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Paese di origine | Cina |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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