PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VPCEB3J1E/WI DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VPCEB3J1E/WI, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VPCEB3J1E/WI e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una capacità di 4 gigabyte e una frequenza di clock di 1066 MHz, questo RAM DDR3 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni di sistema e un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il modello specifico garantisce un'installazione semplice e un'ottimale funzionalità. La memoria è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO, sia per compiti quotidiani che per applicazioni più impegnative. Con una tensione di 1,5 Volt e una tecnologia dei chip LPDDR3, questa RAM è una scelta efficiente per una varietà di applicazioni.
- 100% compatibile con Sony VAIO VPCEB3J1E/WI
- Prestazioni ottimizzate grazie alla frequenza di 1066 MHz
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB3J1E/WI |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22396472 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP159077 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB3J1E/WI |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |