PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VPCEB2S1E DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VPCEB2S1E, 1 x 4GBConsegna tra sab, 21.6. e gio, 26.6.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VPCEB2S1E e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock della memoria di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è ottimale per l'uso nei notebook. La tensione di 1,5 Volt garantisce un'alimentazione energetica efficiente, mentre i 204 pin consentono un'installazione semplice. Questa memoria è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. La compatibilità con il modello specifico assicura un'integrazione senza soluzione di continuità e una maggiore stabilità del sistema.
- 100% compatibile con Sony VAIO VPCEB2S1E
- Prestazioni ottimali con frequenza di clock della memoria di 1066 MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di funzionamento di 1,5 Volt.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB2S1E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22395169 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP156766 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB2S1E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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