PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VPCEB2M1E/WI DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VPCEB2M1E/WI, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VPCEB2M1E/WI e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di archiviazione di 4 gigabyte e una frequenza di clock di 1066 MHz, questa memoria DDR3 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e un'elaborazione dei dati più rapida. La compatibilità con il Sony VAIO VPCEB2M1E/WI garantisce un'installazione semplice e prestazioni ottimali. La memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. L'uso di chip LPDDR3 assicura una gestione energetica efficiente e contribuisce alla longevità del dispositivo.
- Compatibile con Sony VAIO VPCEB2M1E/WI
- Memoria RAM DDR3 SO-DIMM
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB2M1E/WI |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22395168 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP156767 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VPCEB2M1E/WI |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |