PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VGN-NW11S/T DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S

T, 1 x 4GB
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Informazioni sul prodotto

La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-NW11S/T e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 800 MHz e una capacità di 4 GB, questa RAM DDR2 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni del sistema e un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Sony VAIO VGN-NW11S/T garantisce un'installazione semplice e un utilizzo ottimale dell'hardware. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop, sia per compiti quotidiani che per applicazioni più impegnative. Con una tensione di 1,8 Volt e 200 pin, questa memoria RAM è un'ottima scelta per chi cerca una soluzione di memoria efficace.

  • 100% compatibile con Sony VAIO VGN-NW11S/T
  • Frequenza di clock di 800 MHz per prestazioni migliorate
  • Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM.

Le specifiche più importanti in sintesi

Marca compatibile
Sony
Modello compatibile
T
Configurazione della memoria
1 x 4GB
Tipo di RAM
DDR2-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
800 MHz
No. di articolo
22395253

Informazioni generali

Produttore
PHS-memory
Categoria
Memoria RAM (modelli specifici)
No. di fabbricazione
SP129010
Data di rilascio
19.4.2021

RAM

Marca compatibile
Sony
Modello compatibile
T
Configurazione della memoria
1 x 4GB
Tipo di RAM
DDR2-RAM
Frequenza di clock di memorizzazione
800 MHz
Capacità memoria (RAM) per modulo
4 GB
Forma RAM
SO-DIMM
Numero di pin
200 x

Alimentazione

Tensione elettrica
1.80 V

Contributo climatico volontario

Emissione di CO₂
Contributo climatico

30 giorni di diritto di recesso
5 anni Garanzia (Bring-in)

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