PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony VAIO VGN-FW198UH DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Sony VAIO VGN-FW198UH, 1 x 4GB5 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-FW198UH e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 800 MHz e una capacità di memoria di 4 GB, questa memoria DDR2 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni del sistema e un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Sony VAIO VGN-FW198UH garantisce un'installazione semplice e un utilizzo ottimale dell'hardware. La RAM è dotata di 200 pin e funziona a una tensione di 1,8 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop. Questo modulo di memoria è una soluzione ideale per chiunque voglia portare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO a un nuovo livello.
- 100% compatibile con Sony VAIO VGN-FW198UH
- Energeticamente efficiente con tensione di funzionamento di 1,8 Volt
- Prestazioni ottimali con frequenza di clock di 800 MHz.
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO VGN-FW198UH |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
No. di articolo | 22395391 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP326918 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Sony |
RAM per il modello | Sony VAIO VGN-FW198UH |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |