PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-RF710-S05 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-RF710-S05, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-RF710-S05 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e una capacità di 4 GB, questa RAM DDR3 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e una più rapida elaborazione dei dati. La compatibilità con il Samsung NP-RF710-S05 garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nei sistemi esistenti. Il fattore di forma SO-DIMM è ideale per laptop e sistemi compatti che richiedono una soluzione salvaspazio. Questa memoria RAM è un'ottima scelta per chi desidera migliorare le prestazioni del proprio dispositivo, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi.
- Compatibile con Samsung NP-RF710-S05
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- RAM DDR3 per prestazioni migliorate
- Fattore di forma SO-DIMM per sistemi compatti.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RF710-S05 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 22391388 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP153859 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RF710-S05 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | DDR3L-1066 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |